參數(shù)資料
型號(hào)： PSMN004-36B
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 36 V, 0.0054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 294K
代理商： PSMN004-36B
Philips Semiconductors
PSMN004-36P/36B
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 19 November 2001
4 of 13
9397 750 08621
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting
base
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Thermal characteristics
Conditions
Figure 4
Value
0.65
Unit
K/W
vertical in still air; SOT78 package
mounted on a printed circuit board;
minimum footprint; SOT404 package
60
50
K/W
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ag43
10-3
10-2
10-1
1
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
t
p
(s)
Z
th j-mb
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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PDF描述
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