INFINEON
IRF3710STRLPBF
D2PAK
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類型 | 描述 | 選擇 | ||||||||||||||||||||
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類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個 | |||||||||||||||||||||
制造商 | Infineon Technologies | |||||||||||||||||||||
系列 | HEXFET? | |||||||||||||||||||||
包裝 | ||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品狀態(tài) | 在售 | |||||||||||||||||||||
FET 類型 | N 通道 | |||||||||||||||||||||
技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) | |||||||||||||||||||||
漏源電壓(Vdss) | 100 V | |||||||||||||||||||||
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 57A(Tc) | |||||||||||||||||||||
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |||||||||||||||||||||
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值) | 23 毫歐 @ 28A,10V | |||||||||||||||||||||
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250μA | |||||||||||||||||||||
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) | 130 nC @ 10 V | |||||||||||||||||||||
Vgs(最大值) | ±20V | |||||||||||||||||||||
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) | 3130 pF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
FET 功能 | - | |||||||||||||||||||||
功率耗散(最大值) | 200W(Tc) | |||||||||||||||||||||
工作溫度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |||||||||||||||||||||
安裝類型 | 表面貼裝型 | |||||||||||||||||||||
供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK | |||||||||||||||||||||
封裝/外殼 | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB | |||||||||||||||||||||
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電話:15610715612
聯(lián)系人:王女士 (女士)
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地址:深圳市福田區(qū)廣博現(xiàn)代之窗大廈B座18D
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