產品信息

產品屬性
類型
描述
選擇 
類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
onsemi
系列
QFET?
包
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2.1A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
4.9 歐姆 @ 1.05A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），50W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252AA
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
基本產品編號
FQD3P50
　
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  • 電話：15610715612

    聯(lián)系人：王女士 (女士)

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    郵箱：cnhott@163.com

    地址：深圳市福田區(qū)廣博現(xiàn)代之窗大廈B座18D

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