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士蘭微原裝4A 650V MOS管SVF4N65M

品牌：
SILAN
型號：
SVF4N65M
封裝：
TO-251
用途：
L/功率放大
類型：
絕緣柵型場效應管
溝道類型：
N溝道
導電方式：
增強型

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產(chǎn)品信息

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原裝4A 650V MOS管SVF4N65M,TO251 TO252 TO220 TO220F,大量現(xiàn)貨,歡迎工廠貿(mào)易商采購!

SVF4N65: N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進的工藝及條狀的原胞設(shè)計結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應用于AC-DC開關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達驅(qū)動。
特點
? 4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.2Ω@VGS=10V
? 低柵極電荷量
? 低反向傳輸電容
? 開關(guān)速度快
? 提升了dv/dt 能力

極限參數(shù)(除非特殊說明，TC=25°C) 參數(shù)名稱符號參數(shù) 范圍
SVF4N65AT SVF4N65AF SVF4N65AD
漏源電壓 VDS 650
柵源電壓 VGS ±30
漏極電流 TC= 25°C ID 4.0
TC= 100°C 2.53
漏極脈沖電流 IDM 16.0
耗散功率（TC=25°C） - 大于25°C每攝氏度減少 PD 110 39 90
0.88 0.31 0.72
單脈沖雪崩能量（注 1） EAS 235
工作結(jié)溫范圍 TJ -55～+150
貯存溫度范圍 Tstg -55～+150

總機:O512-5O71O709

傳真:O512-5O1112O9

工廠專線:1595O933O5O

貿(mào)易專線:13914994568

Q Q:41086900

E-Mail:master@ksmcu.com

公司介紹

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