VISHEY
SI2302CDS-T1-GE3
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安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 2.9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 57 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 400 mV
Vgs - 柵極-源極電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 5.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 860 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.45 mm
長度: 2.9 mm
系列: SI2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 1.6 mm
商標(biāo): Vishay / SilIConix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 13 S
下降時(shí)間: 7 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
電話:19953477008(wechat)
聯(lián)系人:何小姐 (女士)
QQ:
郵箱:hewei@buyelec.net
地址:安寧莊西路九號院金泰富地大廈505室
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