產(chǎn)品信息

技術(shù): Si 
安裝風(fēng)格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: SOT-23-3 
通道數(shù)量: 1 Channel 
晶體管極性: N-Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V 
Id-連續(xù)漏極電流: 310 mA 
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.5 Ohms 
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V 
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V 
Qg-柵極電荷: 0.81 nC 
最小工作溫度: - 55 C 
最大工作溫度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 420 mW 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
封裝: Cut Tape 
封裝: MouseReel 
封裝: Reel 
高度: 0.94 mm  
長度: 2.9 mm  
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal  
系列: 2N7002E  
晶體管類型: 1 N-Channel  
寬度: 1.3 mm  
商標(biāo): ON SemIConductor  
正向跨導(dǎo) - 最小值: 530 mS  
下降時(shí)間: 3.6 ns  
產(chǎn)品類型: MOSFET  
上升時(shí)間: 1.2 ns  
工廠包裝數(shù)量: 3000  
子類別: MOSFETs  
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 4.8 ns  
典型接通延遲時(shí)間: 1.7 ns  
單位重量: 8 mg


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