ST
STGWT60H65DFB
直插
點接觸型
TO-3P
塑料封裝
80
650
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制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
封裝 / 箱體:TO-3P
安裝風(fēng)格:Through Hole
配置:Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V
集電極—射極飽和電壓:1.6 V
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V在25 C的連續(xù)
集電極電流:80 APd-
功率耗散:375 W
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
系列:600-650V IGBTs
集電極最大連續(xù)電流 Ic:60 A
商標:STMicroelectronics
柵極—射極漏泄電流:250 nA
產(chǎn)品類型:IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量:300
子類別:IGBTs
單位重量:6.756 g
電話:0755-82709309/13715139366
聯(lián)系人:吳先生 (先生)
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郵箱:3334936262@qq.com
地址:福田區(qū)華強北路兒童世界101棟西座5樓508房
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