ST
STF13NM60N
直插
其他
TO-220F
塑料封裝
大功率
11
600
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制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-ChannelVds
漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:11 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:360 mOhmsVgs
- 柵極-源極電壓:25 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
配置:SinglePd-
功率耗散:25 W
通道模式:Enhancement
系列:STW13NM60N
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時(shí)間:10 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:8 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns
典型接通延遲時(shí)間:3 ns
單位重量:330 mg
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
2016年,勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。
電話:0755-82709309/13715139366
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