參數(shù)資料
型號： PMST5401
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP high-voltage transistor
中文描述： 300 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： PMST5401
1999 Apr 29
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP high-voltage transistor
PMST5401
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
625
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
50
50
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
120 V
I
E
= 0; V
CB
=
120 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
4 V
V
CE
=
5 V; (see Fig.2)
I
C
=
1 mA
I
C
=
10 mA
I
C
=
50 mA; note 1
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
50
60
50
100
240
200
500
1
1
6
300
8
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage I
C
=
10 mA; I
B
=
1 mA
mV
mV
V
V
pF
MHz
dB
I
C
=
50 mA; I
B
=
5 mA; note 1
I
C
=
10 mA; I
B
=
1 mA
I
C
=
50 mA; I
B
=
5 mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
I
C
=
10 mA; V
CE
=
10 V; f = 100 MHz
I
C
=
200
μ
A; V
CE
=
5 V; R
S
= 2 k
f = 10 Hz to 15.7 kHz
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
C
c
f
T
F
collector capacitance
transition frequency
noise figure
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PMST5401 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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