參數(shù)資料
型號(hào)： PMMT591
廠(chǎng)商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP BISS transistor
中文描述： PNP型BISS晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 42K
代理商： PMMT591
1999 Aug 04
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP BISS transistor
PMMT591A
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
100
100
100
UNIT
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
collector cut-off current
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
I
E
= 0; V
CB
=
30 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
V
CE
=
5 V; note 1
I
C
=
1 mA
I
C
=
100 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
1 A
nA
nA
nA
300
300
250
160
800
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage note 1
I
C
=
100 mA; I
B
=
1 mA
I
C
=
500 mA; I
B
=
20 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
100 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
50 mA; note 1
V
CE
=
5 V; I
C
=
1 A; note 1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
I
C
=
50 mA; V
CE
=
10 V;
f = 100 MHz
150
200
350
500
1.1
1
12
mV
mV
mV
V
V
pF
MHz
V
BEsat
V
BE
C
c
f
T
base-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
collector capacitance
transition frequency
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PMMT591A /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMMT591A,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMMT591A,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMMT591A215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BISS TRANSISTOR PNP -40V -1A 3-SOT-2
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