參數(shù)資料
型號(hào)： PMMT591
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP BISS transistor
中文描述： PNP型BISS晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商： PMMT591
1999 Aug 04
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP BISS transistor
PMMT591A
FEATURES
High current (max. 1 A)
Low collector-emitter saturation voltage ensures
reduced power consumption.
APPLICATIONS
Batterypoweredunitswherehighcurrentandlowpower
consumption are important.
DESCRIPTION
PNP BISS (Breakthrough In Small Signal) transistor in a
SOT23 plastic package. NPN complement: PMMT491A.
MARKING
Note
1.
= p: Made in Hong Kong.
= t: Made in Malaysia.
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
(1)
9B
PMMT591A
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, halfpage
2
1
3
MAM256
Top view
2
3
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
40
40
5
1
2
1
250
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
A
A
A
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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