參數(shù)資料
型號： PMBT5401
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP high-voltage transistor
中文描述： 300 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： PMBT5401
1999 Apr 15
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP high-voltage transistor
PMBT5401
FEATURES
Low current (max. 300 mA)
High voltage (max. 150 V).
APPLICATIONS
Switching and amplification in high voltage applications
such as telephony.
DESCRIPTION
PNP high-voltage transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complement: PMBT5550.
MARKING
Note
1.
= p : Made in Hong Kong.
= t : Made in Malaysia.
TYPE NUMBER
MARKING CODE
(1)
2L
PMBT5401
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, halfpage
2
1
3
MAM256
Top view
2
3
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
160
150
5
300
600
100
250
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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PDF描述
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