參數(shù)資料
型號： PMBFJ210
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel field-effect transistors
中文描述： 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝： PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 100K
代理商： PMBFJ210
1997 Dec 01
8
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
PMBFJ210; PMBFJ211; PMBFJ212
Fig.14 Drain current as a function of gate-source
voltage; typical values.
V
DS
= 15 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
μ
A)
0
2
1
3
4
MGM289
10
5
10
2
3
10
1
10
1
10
2
10
3
10
4
VGS (V)
Fig.15 Gate current as a function of drain-gate
voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(pA)
20
16
8
12
4
0
MGM288
10
1
10
4
5
10
3
10
2
10
1
VDG (V)
ID = 10 mA
1 mA
0.1 mA
IGSS
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PDF描述
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