參數(shù)資料
型號: PMBFJ210
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: N-channel field-effect transistors
中文描述: 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝: PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù): 10/12頁
文件大?。?/td> 100K
代理商: PMBFJ210
1997 Dec 01
10
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
PMBFJ210; PMBFJ211; PMBFJ212
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
1
max.
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
97-02-28
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.1
0.48
0.38
0.15
0.09
3.0
2.8
1.4
1.2
0.95
e
1.9
2.5
2.1
0.55
0.45
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT23
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
1.1
0.9
c
X
1
2
3
Plastic surface mounted package; 3 leads
SOT23
相關PDF資料
PDF描述
PMBFJ211 N-channel field-effect transistors
PMBFJ212 N-channel field-effect transistors
PMBT3640 PNP 1 GHz switching transistor
PMBT3904D SPLIT BOLT CONNECTOR
PMBT5401 PNP high-voltage transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PMBFJ211 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel field-effect transistors
PMBFJ212 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel field-effect transistors
PMBFJ308 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Transistor JFET N-Channel 25V TO236AB
PMBFJ308 T/R 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
PMBFJ308,215 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel