參數(shù)資料
型號: PIC16F628T-04E/SO
廠商: Microchip Technology
文件頁數(shù): 175/180頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC MCU FLASH 2KX14 18-SOIC
標準包裝: 1,100
系列: PIC® 16F
核心處理器: PIC
芯體尺寸: 8-位
速度: 4MHz
連通性: UART/USART
外圍設備: 欠壓檢測/復位,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 16
程序存儲器容量: 3.5KB(2K x 14)
程序存儲器類型: 閃存
EEPROM 大?。?/td> 128 x 8
RAM 容量: 224 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 3 V ~ 5.5 V
振蕩器型: 內部
工作溫度: -40°C ~ 125°C
封裝/外殼: 18-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
包裝: 帶卷 (TR)
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PIC16F627A/628A/648A
DS40044G-page 94
2009 Microchip Technology Inc.
13.7
Using the Data EEPROM
The data EEPROM is a high endurance, byte
addressable array that has been optimized for the storage
of frequently changing information (e.g., program
variables or other data that are updated often). When
variables in one section change frequently, while
variables in another section do not change, it is possible
to exceed the total number of write cycles to the EEPROM
(specification D124) without exceeding the total number
of write cycles to a single byte (specifications D120 and
D120A). If this is the case, then an array refresh must be
performed. For this reason, variables that change
infrequently (such as constants, IDs, calibration, etc.)
should be stored in Flash program memory.
A simple data EEPROM refresh routine is shown in
EXAMPLE 13-4:
DATA EEPROM REFRESH ROUTINE
Note:
If data EEPROM is only used to store
constants and/or data that changes rarely,
an array refresh is likely not required. See
specification D124.
BANKSEL
0X80
;select Bank1
CLRF
EEADR
;start at address 0
BCF
INTCON, GIE
;disable interrupts
BTFSC
INTCON, GIE
;see AN576
GOTO
$ - 2
BSF
EECON1, WREN
;enable EE writes
Loop
BSF
EECON1, RD
;retrieve data into EEDATA
MOVLW
0x55
;first step of ...
MOVWF
EECON2
;... required sequence
MOVLW
0xAA
;second step of ...
MOVWF
EECON2
;... required sequence
BSF
EECON1, WR
;start write sequence
BTFSC
EECON1, WR
;wait for write complete
GOTO
$ - 1
#IFDEF __16F648A
;256 bytes in 16F648A
INCFSZ
EEADR, f
;test for end of memory
#ELSE
;128 bytes in 16F627A/628A
INCF
EEADR, f
;next address
BTFSS
EEADR, 7
;test for end of memory
#ENDIF
;end of conditional assembly
GOTO
Loop
;repeat for all locations
BCF
EECON1, WREN
;disable EE writes
BSF
INTCON, GIE
;enable interrupts (optional)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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