參數(shù)資料
型號(hào)： PHP47NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 47 A, 100 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/14頁(yè)
文件大?。?/td> 267K
代理商： PHP47NQ10T
Philips Semiconductors
PHP47NQ10T; PHB47NQ10T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 16 May 2001
7 of 14
9397 750 08243
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 10. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C
Fig 11. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C; V
DS
=
25 V
Fig 12. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 13. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
2.5
-60
-20
20
1
0.5
0
1.5
2
60
100
140
180
3.5
VGS(th)
(V)
Tj (oC)
3
4
4.5
max
typ
min
003aaa023
2%
typ
98%
10-1
10-2
10-3
10-4
10-5
10-6
0
1
2
3
4
5
ID
(A)
VGS(V)
003aaa078
0
20
40
60
80
100
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
gfs
(S)
ID (A)
003aaa104
Ciss
Coss
Crss
5
4
3
2
1
0
10-2
Ciss,
Coss,
Crss
(nF)
1
10
102
10-1
VDS(V)
003aaa105
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PDF描述
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