參數(shù)資料
型號： PHP13N40E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 13.7 A, 400 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 104K
代理商： PHP13N40E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP13N40E, PHB13N40E, PHW13N40E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.19. SOT78 (TO220AB); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT78 (TO220) envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
December 1998
7
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB13N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHW13N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP176NQ04T N-channel TrenchMOS-TM standard level FET
PHP1N60E PowerMOS transistor
PHP206 Dual P-channel enhancement mode MOS transistor
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參數(shù)描述
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