參數(shù)資料
型號： PHP13N40E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 13.7 A, 400 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 104K
代理商： PHP13N40E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP13N40E, PHB13N40E, PHW13N40E
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PHP13N40E
0.001
0.01
0.1
1
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
pulse width, tp (s)
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
Transient Thermal Impedance, Zth j-a (K/W)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single pulse
tp
D = tp/T
T
P
t
D
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PHP13N40E
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Drain Current, ID (A)
4 V
4.2 V
4.4 V
4.6 V
Tj = 25 C
VGS = 10 V
4.8 V
5 V
PHP13N40E
0.1
1
10
100
10
100
1000
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Peak Pulsed Drain Current, IDM (A)
RDS(on) = VDS/ ID
d.c.
100 ms
10 ms
tp = 10 us
1 ms
100 us
PHP13N40E
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
1
2
4
5
6
7
8
Drain 3
Drain-Source On Resistance, RDS(on) (Ohms)
4.2V
4 V
4.4V
VGS = 10 V
4.6V
4.8V
5V
Tj = 25 C
December 1998
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB13N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHW13N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP176NQ04T N-channel TrenchMOS-TM standard level FET
PHP1N60E PowerMOS transistor
PHP206 Dual P-channel enhancement mode MOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHP14-3,50 功能描述:可插拔接線端子 HorizHd 3.5mm ClEnd RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產(chǎn)品:Plugs 系列:PTS 端接類型:Spring Cage 位置/觸點數(shù)量:5 線規(guī)量程:26-14 節(jié)距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風(fēng)格: 安裝角: 觸點電鍍:
PHP14-3,81 功能描述:可插拔接線端子 HorizHd 3.81mm ClEnd RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產(chǎn)品:Plugs 系列:PTS 端接類型:Spring Cage 位置/觸點數(shù)量:5 線規(guī)量程:26-14 節(jié)距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風(fēng)格: 安裝角: 觸點電鍍:
PHP14-3.50 制造商:ALTECH CORP 功能描述:Conn;TermBlk;PCB;Header;SnglLvl;90DegAngl;Sldr;14Pole;3.5mmPitch;PHP-3.50Series
PHP143NQ04T 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP143NQ04T,127 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*