參數(shù)資料
型號(hào)： PHP125N06L
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： TrenchMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯電平（TrenchMOS晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
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代理商： PHP125N06L
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP125N06LT, PHB125N06LT
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.17. SOT78 (TO220AB); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT78 (TO220) envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
March 1998
7
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB125N06L TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶體管邏輯電平FET)
PHP125N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP125N06T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管)
PHP125 P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管)
PHP130N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHP125N06LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP125N06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP125T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | SO
PHP12-7,50 功能描述:可插拔接線端子 PCBHdr Horiz 7.5mm RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產(chǎn)品:Plugs 系列:PTS 端接類型:Spring Cage 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:5 線規(guī)量程:26-14 節(jié)距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風(fēng)格: 安裝角: 觸點(diǎn)電鍍:
PHP129NQ04LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET
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