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參數(shù)資料
| 型號： | PHP125N06L |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | TrenchMOS場效應(yīng)晶體管邏輯電平（TrenchMOS晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | PHP125N06L |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP125N06LT, PHB125N06LT
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
75
A
-
-
240
A
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
0.85
1.0
65
0.18
1.2
-
-
-
V
V
ns
μ
C
t
rr
Q
rr
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL PARAMETER
W
DSS
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 75 A; V
≤
25 V; V
GS
= 5 V;
R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
MAX.
500
UNIT
mJ
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID (A)
Current Derating
150
125
100
75
50
25
0
Limited by package
March 1998
3
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB125N06L | TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶體管邏輯電平FET) |
| PHP125N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP125N06T | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管) |
| PHP125 | P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管) |
| PHP130N03T | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHP125N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP125N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHP125T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | SO |
| PHP12-7,50 | 功能描述:可插拔接線端子 PCBHdr Horiz 7.5mm RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產(chǎn)品:Plugs 系列:PTS 端接類型:Spring Cage 位置/觸點數(shù)量:5 線規(guī)量程:26-14 節(jié)距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風(fēng)格: 安裝角: 觸點電鍍: |
| PHP129NQ04LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
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