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參數(shù)資料
| 型號： | PHN603S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS/ Schottky Diode Array Three Phase Brushless d.c. Motor Driver(TrenchMOS/肖特基二極管陣列三相位無刷d.c.馬達驅(qū)動器) |
| 中文描述： | 5.5 A, 25 V, 0.035 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AD |
| 封裝： | PLASTIC, SO-24 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | PHN603S |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS/ Schottky diode array
Three phase brushless d.c. motor driver
PHN603S
Fig.7. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.8. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.9. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
)
Fig.10. Typical transconductance, T
j
= 25 C
g
fs
= f(I
D
)
Fig.11. Normalised drain-source on-state resistance.
R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
)
Fig.12. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
PHN603S
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Drain Current, ID (A)
2.4 V
2.6 V
2.8 V
3 V
Tj = 25 C
VGS = 3.4 V
3.2 V
4.5 V
10V
PHN603S
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Drain current, ID (A)
Transconductance, gfs (S)
VDS > ID X RDS(ON)
Tj = 25 C
150 C
PHN603S
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0
1
3
4
5
Drain C2
Drain-Source On Resistance, RDS(on) (Ohms)
VGS = 3.4 V
2.8V
3.2V
4.5V
10V
Tj = 25 C
3V
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
SOT223 30V Trench
Tj / C
a
Normalised RDS(ON) = f(Tj)
PHN603S
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Gate-source voltage, VGS (V)
Drain current, ID (A)
VDS > ID X RDS(ON)
Tj = 25 C
150 C
0
-50
0
50
100
150
200
1
2
3
4
5
Tj / C
VGS(TO) / V
typ.
min.
PHN1013
October 1998
4
Rev 1.000
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PDF描述 |
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