- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367941 > PHN603S (NXP SEMICONDUCTORS) TrenchMOS/ Schottky Diode Array Three Phase Brushless d.c. Motor Driver(TrenchMOS/肖特基二極管陣列三相位無刷d.c.馬達驅(qū)動器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | PHN603S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS/ Schottky Diode Array Three Phase Brushless d.c. Motor Driver(TrenchMOS/肖特基二極管陣列三相位無刷d.c.馬達驅(qū)動器) |
| 中文描述： | 5.5 A, 25 V, 0.035 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AD |
| 封裝： | PLASTIC, SO-24 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | PHN603S |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS/ Schottky diode array
Three phase brushless d.c. motor driver
PHN603S
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
a
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
a
); conditions: V
GS
≥
4.5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance; MOSFET.
Z
th j-a
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Transient thermal impedance; Schottky Diode.
Z
th j-a
= f(t)
Fig.6. Thermal model; typical values.
R
th j-b
and R
th b-a
Normalised Power Dissipation, PD (%)
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature, Ta (C)
MOSFET
0.01
0.1
1
10
100
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
pulse width, tp (s)
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
Transient Thermal Impedance, Zth j-a (K/W)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single pulse
tp
D = tp/T
T
P
t
D
Normalised Drain Current, ID (%)
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature, Ta (C)
SCHOTTKY
0.01
0.1
1
10
100
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
pulse width, tp (s)
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
Transient Thermal Impedance, Zth j-a (K/W)
Single pulse
tp
P
t
D
PHN603S
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Peak Pulsed Drain Current, IDM (A)
d.c.
100 ms
10 ms
RDS(on) = VDS/ ID
tp = 100 us
1 ms
ambient
junctions
4
board
MOSFET
SCHOTTKY
MOSFET
SCHOTTKY
6 PAIRS
4
4
4
3
Rth j-b
Rth b-a
October 1998
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHN70308 | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor array(N溝道增強型TrenchMOS晶體管陣列) |
| PHP101NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHU101NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP109 | P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強型MOS晶體管) |
| PHP11N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHN70308 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor array |
| PHN708 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:7 N-channel 80 mohm FET array enhancement mode MOS transistors |
| PHNR-05-H | 制造商:JST Manufacturing 功能描述:5 Position 2.0mm Pitch Crimp Style Connector (Housing) |
| PHNTRAYH | 功能描述:PHOTON WITH HEADERS IN TRAYS 制造商:particle industries, inc. 系列:WICED 零件狀態(tài):在售 類型:收發(fā)器；802.11 b/g/n（Wi-Fi，WiFi，WLAN） 頻率:2.4GHz 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:BCM43362，STM32F205 所含物品:板 標準包裝:1 |
| PHNTRAYNOH | 功能描述:PHOTON WITHOUT HEADERS IN TRAYS 制造商:particle industries, inc. 系列:WICED 零件狀態(tài):在售 類型:收發(fā)器；802.11 b/g/n（Wi-Fi，WiFi，WLAN） 頻率:2.4GHz 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:BCM43362，STM32F205 所含物品:板 標準包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。