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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHM30NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS?? standard level FET |
| 中文描述： | 37.6 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 6 X 5 X 0.85, PLASTIC, SOT-685-1, QLPAK, HVSON-8 |
| 文件頁數(shù)： | 7/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 275K |
| 代理商： | PHM30NQ10T |
Philips Semiconductors
PHM30NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 11 September 2003
7 of 13
9397 750 11842
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aa32
0
1
2
3
4
5
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
max
min
typ
03aa35
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
2
4
6
VGS (V)
max
typ
min
03al19
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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