參數(shù)資料
型號(hào)： PHM18NQ15T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 19 A, 150 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： PHM18NQ15T
Philips Semiconductors
PHM18NQ15T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 20 August 2004
7 of 12
9397 750 13865
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 11. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa32
0
1
2
3
4
5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max
min
typ
03aa35
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
2
4
6
V
GS
(V)
max
typ
min
003aaa357
0
4
8
16
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
(A)
IS
VSD (V)
150
°
C
Tj = 25
°
C
12
003aaa248
10
102
103
104
10-1
1
10
102
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
VDS (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHM30NQ10T TrenchMOS?? standard level FET
PHN603S TrenchMOS/ Schottky Diode Array Three Phase Brushless d.c. Motor Driver(TrenchMOS/肖特基二極管陣列三相位無(wú)刷d.c.馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器)
PHN70308 N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor array(N溝道增強(qiáng)型TrenchMOS晶體管陣列)
PHP101NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHU101NQ03LT TrenchMOS logic level FET
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參數(shù)描述
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PHM1990-15 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier
PHM2 制造商:Panduit Corp 功能描述:HOSE ASSEMBLY
PHM20030DLX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM20030DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
PHM21NQ15T 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET
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