參數(shù)資料
型號： PHM18NQ15T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 19 A, 150 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： PHM18NQ15T
Philips Semiconductors
PHM18NQ15T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 20 August 2004
3 of 12
9397 750 13865
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
V
GS
≥
10 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa15
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
P
der
(%)
(
°
C)
03aa23
0
40
80
120
0
50
100
150
200
(%)
I
der
T
mb
(
°
C)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
003aaa355
10
-2
10
-1
1
10
10
2
1
10
10
2
10
3
V
DS
(V)
I
D
(A)
DC
10 ms
Limit R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
100
μ
s
t
p
= 10
μ
s
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PDF描述
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參數(shù)描述
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