參數(shù)資料
型號(hào)： PHD44N06LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 44 A, 55 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-428, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： PHD44N06LT
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP44N06LT, PHB44N06LT, PHD44N06LT
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 35 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
September 1998
6
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP44N06T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管)
PHP45N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管)
PHP52N06T N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP54N06T N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP55N03LTA N-channel enhancement mode field-effect transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD45N03LTA 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHD45N03LTA,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD45NQ15T,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRENCH-150 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD48N22-7A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Fuse-Programmable PLD
PHD50N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
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