參數(shù)資料
型號(hào)： PHD44N06LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 44 A, 55 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-428, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： PHD44N06LT
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP44N06LT, PHB44N06LT, PHD44N06LT
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 20 A; V
GS
= 5 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 40 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
BUK959-60
Tmb / degC
Rds(on) normlised to 25degC
a
0.01
0.1
1
10
100
0
.5
1
1.5
2
2.5
3
T
VDS/V
Ciss
Crss
BUK959-60
-100
-50
0
50
100
150
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1E-05
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
2%
typ
98%
0
0.5
1
1.5
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
175
25
September 1998
5
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP44N06T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管)
PHP45N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管)
PHP52N06T N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP54N06T N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP55N03LTA N-channel enhancement mode field-effect transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD45N03LTA 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHD45N03LTA,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD45NQ15T,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRENCH-150 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD48N22-7A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Fuse-Programmable PLD
PHD50N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
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