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參數(shù)資料
| 型號： | PHD3N40E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| 中文描述： | 2.5 A, 400 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOT-428, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | PHD3N40E |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP3N40E, PHB3N40E, PHD3N40E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
Fig.20. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.21. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
11 max
4.5 max
1.4 max
10.3 max
0.5
15.4
2.5
0.85 max
(x2)
2.54 (x2)
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
August 1998
8
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP3N50 | PowerMOS transistor |
| PHP42N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP42N03T | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標準電平場效應管) |
| PHP44N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB44N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHD44N06LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| PHD45N03LTA | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHD45N03LTA,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD45NQ15T,118 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRENCH-150 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD48N22-7A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Fuse-Programmable PLD |
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