參數(shù)資料
型號： PHD3N40E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 2.5 A, 400 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-428, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： PHD3N40E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP3N40E, PHB3N40E, PHD3N40E
AVALANCHE ENERGY LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
E
AS
Non-repetitive avalanche
energy
CONDITIONS
Unclamped inductive load, I
= 0.6 A;
t
p
= 0.5 ms; T
j
prior to avalanche = 25C;
V
≤
50 V; R
GS
= 50
; V
GS
= 10 V; refer
to fig:17
MIN.
-
MAX.
120
UNIT
mJ
E
AR
Repetitive avalanche energy
2
I
= 2.5 A; t
= 1
μ
s; T
prior to
-
3
mJ
avalanche = 25C; R
GS
= 50
; V
GS
= 10 V;
refer to fig:18
I
AS
, I
AR
Repetitive and non-repetitive
avalanche current
-
2.5
A
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER
R
th j-mb
Thermal resistance junction
to mounting base
R
th j-a
Thermal resistance junction
to ambient
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
2.5
K/W
SOT78 package, in free air
SOT404 and SOT428 packages, pcb
mounted, minimum footprint
-
-
60
50
-
-
K/W
K/W
2
pulse width and repetition rate limited by T
j
max.
August 1998
2
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP3N50 PowerMOS transistor
PHP42N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP42N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管)
PHP44N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHB44N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD44N06LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N D-PAK
PHD45N03LTA 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHD45N03LTA,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD45NQ15T,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRENCH-150 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD48N22-7A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Fuse-Programmable PLD
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*