參數(shù)資料
型號(hào)： PHD2N60E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 1.9 A, 600 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-428, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： PHD2N60E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP2N60E, PHB2N60E, PHD2N60E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.19. SOT78 (TO220AB); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT78 (TO220) envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
August 1998
7
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB34NQ10T N-channel TrenchMOS transistor(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PHD3055E,118 功能描述:MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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