參數(shù)資料
型號(hào)： PHD23NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 23 A, 100 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大小： 99K
代理商： PHD23NQ10T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP23NQ10T, PHB23NQ10T
PHD23NQ10T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
23
A
-
-
92
A
I
F
= 11 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 11 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
0.9
64
120
1.2
-
-
V
ns
nC
August 1999
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP23NQ15T N-channel TrenchMOS transistor
PHB23NQ15T N-channel TrenchMOS transistor
PHP24N03T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP26N10E PowerMOS transistor
PHP27NQ10T N-channel TrenchMOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD23NQ10T,118 功能描述:MOSFET TRENCH-100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD24N03 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
PHD24N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
PHD27NQ10T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor
PHD2N50E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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