參數(shù)資料
型號(hào)： PHD108NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/14頁
文件大?。?/td> 269K
代理商： PHD108NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 11 September 2002
2 of 14
9397 750 10159
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
3.
Limiting values
Table 2:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
DGR
drain-gate voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
25
°
C
≤
T
j
≤
175
o
C
25
°
C
≤
T
j
≤
175
o
C; R
GS
= 20 k
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 5 V;
Figure 2
and
3
T
mb
= 100
°
C; V
GS
= 5 V;
Figure 2
and
3
Min
-
-
-
-
-
-
-
55
55
Max
25
25
75
60
±
20
108
180
+175
+175
Unit
V
V
A
A
V
A
W
°
C
°
C
V
GS
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current (DC)
I
SM
peak source (diode forward) current T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
Avalanche ruggedness
E
DS(AL)S
non-repetitive drain-source
avalanche energy
gate-source voltage
peak drain current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
mb
= 25
°
C;
Figure 1
T
mb
= 25
°
C
-
-
75
108
A
A
unclamped inductive load; I
D
= 43 A;
t
p
= 0.25 ms; V
DD
≤
15 V; R
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V; starting T
j
= 25
°
C
-
180
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP108NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHB11N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHB125N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHB125N06T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB130N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD108NQ03LT /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD108NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD108NQ03LT118 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 25V 75A DPAK
PHD10N10E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor
PHD110NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TRENCH<=30 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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