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參數(shù)資料
| 型號： | PHB87NO3T |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS晶體管標準電平場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | PHB87NO3T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHB87N03T
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
Fig.18. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.19. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
11 max
4.5 max
1.4 max
10.3 max
0.5
15.4
2.5
0.85 max
(x2)
2.54 (x2)
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
December 1997
7
Rev 1.200
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB9N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW9N60E | GT 10C 10#16 SKT PLUG RTANG |
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| PHC20306 | Complementary enhancement mode MOS transistor |
| PHC20512 | Complementary enhancement mode MOS transistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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