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參數(shù)資料
| 型號： | PHB87NO3T |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS晶體管標準電平場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | PHB87NO3T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHB87N03T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 75 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 45 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.17. Switching test circuit.
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
7510-30
QG / nC
VGS / V
VDS / V = 6
24
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
1
2
0
20
40
60
80
100
7510-30
VSDS / V
IF / A
Tj / C = 175
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
December 1997
6
Rev 1.200
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB9N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW9N60E | GT 10C 10#16 SKT PLUG RTANG |
| PHB9NQ20T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHC20306 | Complementary enhancement mode MOS transistor |
| PHC20512 | Complementary enhancement mode MOS transistors |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB8N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB8N50T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | SOT-404 |
| PHB8ND50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated |
| PHB95N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB95N03LTA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 22V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
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