參數(shù)資料
型號(hào)： PHB65N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： 63 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 68K
代理商： PHB65N06T
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHB65N06T
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 50 A; V
≤
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
125
UNIT
mJ
November 1997
3
Rev 1.100
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PDF描述
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