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參數(shù)資料
| 型號： | PHB65N06LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 63 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-404, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | PHB65N06LT |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHB65N06LT
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth j-mb / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
BUKx55-lv
D =
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
10
5
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
VSD/V
VGS/V =
VDS / V
ID / A
1 us
10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
tp =
1
10
100
1000
1
10
RDS(ON) = VDS/ID
DC
SOAX518
100
10
15
20
25
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95100
ID/A
RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
3.6
4
4.2
4.4
4.6
5
November 1997
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB65N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB87NO3T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB9N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW9N60E | GT 10C 10#16 SKT PLUG RTANG |
| PHB9NQ20T | N-channel TrenchMOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB65N06LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 63A I(D) | SOT-404 |
| PHB65N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB65N06TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 63A I(D) | SOT-404 |
| PHB66NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB66NQ03LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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