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參數(shù)資料
| 型號： | PHB34NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 35 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 115K |
| 代理商： | PHB34NQ10T |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP34NQ10T, PHB34NQ10T
PHD34NQ10T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
35
A
-
-
140
A
I
F
= 17 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 17 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
0.85
76
0.24
1.2
-
-
V
ns
μ
C
August 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD34NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管) |
| PHP34NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管) |
| PHB36N06E | PowerMOS transistor |
| PHB37N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB3N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB36N06E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHB37N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB37N06LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 37A I(D) | SOT-404 |
| PHB37N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB37N06TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 37A I(D) | SOT-404 |
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