參數(shù)資料
型號： PHB2N60E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 1.9 A, 600 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-404, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大小： 94K
代理商： PHB2N60E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP2N60E, PHB2N60E, PHD2N60E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm : Net Mass: 1.4 g
Fig.22. SOT428 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.23. SOT428 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.22 max
2.38 max
0.93 max
6.73 max
tab
0.3
0.5
10.4 max
0.5
0.8 max
(x2)
2.285 (x2)
seating plane
1.1
0.5 min
5.4
4 min
4.6
1
2
3
7.0
7.0
2.15
2.5
4.57
1.5
August 1998
9
Rev 1.100
相關PDF資料
PDF描述
PHP2N60E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHD2N60E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB34NQ10T N-channel TrenchMOS transistor(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應管)
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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PHB30NQ15T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor
PHB32N06LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB32N06LT /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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