參數資料
型號： PHB119NQ06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 75 A, 55 V, 0.0071 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數： 8/13頁
文件大小： 94K
代理商： PHB119NQ06T
Philips Semiconductors
PHP/PHB119NQ06T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 05 May 2004
8 of 13
9397 750 13176
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 25 A; V
DD
= 14 V and 44 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ap34
0
25
50
75
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
175
°
C
VGS = 0 V
03ap36
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 25 A
Tj
= 25
°
C
VDD = 44 V
14 V
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