參數(shù)資料
型號： PDTC143E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN resistor-equipped transistor
中文描述： NPN配電阻型晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 65K
代理商： PDTC143E
1998 Jul 31
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistor
PDTC143EE
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
V
I
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
input voltage
positive
negative
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
50
50
10
V
V
V
65
65
+30
10
100
100
150
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
I
O
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient note 1
833
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
30
2.5
3.3
TYP.
1.1
1.9
4.7
MAX.
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector cut-off current
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V
100
1
50
0.9
150
0.5
6.1
nA
μ
A
μ
A
mA
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
i(off)
V
i(on)
R1
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
input-off voltage
input-on voltage
input resistor
mV
V
V
k
I
C
= 100
μ
A; V
CE
= 5 V
I
C
= 20 mA; V
CE
= 0.3 V
resistor ratio
0.8
1
1.2
C
c
collector capacitance
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
2.5
pF
R1
R2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTC143T NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOHM, R2 = open
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