參數(shù)資料
型號： PDTC143E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN resistor-equipped transistor
中文描述： NPN配電阻型晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： PDTC143E
1998 Jul 31
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistor
PDTC143EE
FEATURES
Built-in bias resistors R1 and R2
(typ. 4.7 k
each)
Simplification of circuit design
Reduces number of components
and board space.
APPLICATIONS
Especially suitable for space
reduction in interface and driver
circuits
Inverter circuit configurations
without use of external resistors.
DESCRIPTION
NPN resistor-equipped transistor in
an SC-75 plastic package.
PNP complement: PDTA143EE.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base/input
emitter/ground
collector/output
Fig.1 Simplified outline (SC-75) and symbol.
handbook, halfpage
MAM346
1
2
3
Top view
1
2
3
R1
R2
Fig.2
Equivalent inverter
symbol.
MGA893 - 1
1
3
2
MARKING
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
PDTC143EE
02
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CEO
I
O
I
CM
P
tot
h
FE
R1
collector-emitter voltage
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
input resistor
open base
30
3.3
4.7
50
100
100
150
6.1
V
mA
mA
mW
T
amb
≤
25
°
C
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V
k
resistor ratio
0.8
1
1.2
R1
R2
相關PDF資料
PDF描述
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PDTC143TS NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOHM, R2 = open
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