參數(shù)資料
型號: PDTC123JEF
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN resistor-equipped transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 49K
代理商: PDTC123JEF
1999 May 27
5
Philips Semiconductors
Preliminary specification
NPN resistor-equipped transistor
PDTC123JEF
PACKAGE OUTLINE
UNIT
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
98-10-23
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.33
0.23
0.2
0.1
1.7
1.5
0.95
0.75
0.5
e
1.0
1.7
1.5
0.1
0.1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.5
0.3
SOT490
SC-89
bp
D
e1
e
A
Lp
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
0.8
0.6
c
X
1
2
3
Plastic surface mounted package; 3 leads
SOT490
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PDF描述
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PDTC123JS NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
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參數(shù)描述
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PDTC123JK 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
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PDTC123JK,115 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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