參數(shù)資料
型號(hào)： PDTB123YS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
中文描述： 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商： PDTB123YS
9397 750 14905
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 27 April 2005
4 of 10
Philips Semiconductors
PDTB123Y series
PNP 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k
, R2 = 10 k
6.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
7.
Characteristics
Table 7:
Symbol
R
th(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance
from junction to
ambient
SOT346
SOT54
SOT23
Conditions
in free air
Min
Typ
Max
Unit
[1]
-
-
-
-
-
-
500
250
500
K/W
K/W
K/W
Table 8:
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
I
CBO
collector-basecut-off
current
Characteristics
Conditions
V
CB
=
40 V; I
E
= 0 A
V
CB
=
50 V; I
E
= 0 A
V
CE
=
50 V; I
B
= 0 A
Min
-
-
-
Typ
-
-
-
Max
100
100
0.5
Unit
nA
nA
μ
A
I
CEO
collector-emitter
cut-off current
emitter-base cut-off
current
DC current gain
collector-emitter
saturation voltage
off-state input
voltage
on-state input
voltage
bias resistor 1 (input)
bias resistor ratio
collector capacitance V
CB
=
10 V;I
E
= i
e
= 0 A;
f = 100 MHz
I
EBO
V
EB
=
5 V; I
C
= 0 A
-
-
0.65
mA
h
FE
V
CEsat
V
CE
=
5 V; I
C
=
50 mA
I
C
=
50 mA;
I
B
=
2.5 mA
V
CE
=
5 V; I
C
=
100
μ
A
70
-
-
-
-
0.3
mV
V
I(off)
0.4
0.6
1.0
V
V
I(on)
V
CE
=
0.3 V;
I
C
=
20 mA
0.5
1.0
1.4
V
R1
R2/R1
C
c
1.54
4.1
-
2.2
4.55
11
2.86
5
-
k
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor
PDTC123 NPN resistor-equipped transistor
PDTC123J NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTC123JK NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTC123JS NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PDTB123YS,126 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 500 MA RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTB123YT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 0.5A SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 50V, 0.5A, SOT-23
PDTB123YT T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTB123YT,215 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTB123YT/APGR 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*