參數(shù)資料
型號： PDTA144ES
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP resistor-equipped transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： PDTA144ES
1998 Jul 23
4
Philips Semiconductors
Preliminary specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA144EE
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
MBK802
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
hFE
3
10
10
2
1
(2)
(3)
(1)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
1
MBK801
10
2
VCEsat
(V)
(2)
(3)
(1)
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
Fig.5
Input-off voltage as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
=
40
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
(2)
(3)
(1)
1
10
1
MBK804
10
2
10
1
1
10
IC (mA)
Vi(off)
(V)
Fig.6
Input-on voltage as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
0.3 V.
(1) T
amb
=
40
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
2
1
10
10
1
MBK803
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
Vi(on)
(V)
(2)
(3)
(1)
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