參數(shù)資料
型號(hào)： PDTA123JEF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP resistor-equipped transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： PDTA123JEF
1999 Apr 20
4
Philips Semiconductors
Preliminary specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA123JEF
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
= 100
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
3
10
2
10
1
MDA920
10
1
1
(3)
10
IC (mA)
hFE
10
2
(1)
(2)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
10
10
1
10
2
3
MDA919
10
2
1
10
(2)
(3)
IC (mA)
VCEsat
(mV)
(1)
Fig.5
Input-off voltage as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
=
40
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
10
2
10
3
4
MDA922
10
2
10
1
1
IC (mA)
Vi(off)
(mV)
10
(3)
(2)
(1)
Fig.6
Input-on voltage as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
0.3 V.
(1) T
amb
=
40
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
10
2
10
3
4
MDA921
10
1
10
2
1
10
IC (mA)
Vi(on)
(mV)
(2)
(3)
(1)
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