參數(shù)資料
型號(hào)： PDTA123JEF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP resistor-equipped transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： PDTA123JEF
1999 Apr 20
3
Philips Semiconductors
Preliminary specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA123JEF
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to SC-89 (SOT490) standard mounting conditions.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
100
1.1
1.54
TYP.
0.6
0.75
2.2
MAX.
100
1
50
180
100
0.5
2.86
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector cut-off current
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
50 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
5 mA; I
B
=
0.25 mA
I
C
=
100
μ
A; V
CE
=
5 V
I
C
=
5 mA; V
CE
=
0.3 V
nA
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
i(off)
V
i(on)
R1
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input-off voltage
input-on voltage
input resistor
mV
V
V
k
resistor ratio
17
21
26
C
c
collector capacitance
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
3
pF
R1
R2
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PDF描述
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