參數(shù)資料
型號： PDTA114YS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： PDTA114YS
2004 Aug 02
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 10 k
, R2 = 47 k
PDTA114Y series
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
100
1.4
7
TYP.
0.7
0.8
10
MAX.
100
1
50
150
100
0.5
13
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector-base cut-off current
collector-emitter cut-off current
V
CB
=
50 V; I
E
= 0
V
CE
=
30 V; I
B
= 0
V
CE
=
30 V; I
B
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
5 V; I
C
=
5 mA
I
C
=
5 mA; I
B
=
0.25 mA
I
C
=
100
μ
A; V
CE
=
5 V
I
C
=
1 mA; V
CE
=
0.3 V
nA
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
i(off)
V
i(on)
R1
emitter-base cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input-off voltage
input-on voltage
input resistor
mV
V
V
k
resistor ratio
3.7
4.7
5.7
C
c
collector capacitance
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
3
pF
R1
R2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTA114Y PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA123JEF PNP resistor-equipped transistor
PDTA123JK NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA123JS NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA124EEF PNP resistor-equipped transistor
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參數(shù)描述
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PDTA114YT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DIGITAL SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Digital PNP Transistor,10k,47k,SOT-23
PDTA114YT T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA114YT,215 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA114YT215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BRT TRANSISTOR PNP -50V -100MA 10KOH
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