參數(shù)資料
型號(hào)： PDTA114Y
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
中文描述： PNP配電阻型晶體管；R1=10千歐姆，R2=47千歐姆
文件頁(yè)數(shù)： 1/14頁(yè)
文件大小： 92K
代理商： PDTA114Y
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 2003 Sep 09
2004 Aug 02
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PDTA114Y series
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 10 k
, R2 = 47 k
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PDF描述
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參數(shù)描述
PDTA114YE 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA114YE T/R 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA114YE,115 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA114YE115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BRT TRANSISTOR PNP -50V -100MA 10KOH 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-416
PDTA114YEF 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
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