參數(shù)資料
型號： PDTA114Y
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
中文描述： PNP配電阻型晶體管；R1=10千歐姆，R2=47千歐姆
文件頁數(shù)： 2/14頁
文件大小： 92K
代理商： PDTA114Y
2004 Aug 02
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 10 k
, R2 = 47 k
PDTA114Y series
FEATURES
Built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduction of component count
Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification
Inverter and interface circuits
Circuit driver.
QUICK REFERENCE DATA
DESCRIPTION
PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline,
symbol and pinning” for package details).
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MAX.
50
UNIT
V
CEO
collector-emitter
voltage
output current (DC)
bias resistor
bias resistor
V
I
O
R1
R2
10
47
100
mA
k
k
PRODUCT OVERVIEW
Note
1.
* = p: Made in Hong Kong.
* = t: Made in Malaysia.
* = W: Made in China.
TYPE NUMBER
PACKAGE
MARKING CODE
NPN COMPLEMENT
PHILIPS
EIAJ
PDTA114YE
PDTA114YEF
PDTA114YK
PDTA114YM
PDTA114YS
PDTA114YT
PDTA114YU
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 (TO-92)
SOT23
SOT323
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
36
37
54
DF
PDTC114YE
PDTC114YEF
PDTC114YK
PDTC114YM
PDTC114YS
PDTC114YT
PDTC114YU
TA114Y
*29
(1)
*55
(1)
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PDTA114YEF 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
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