參數(shù)資料
型號： PDTA114T
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open
中文描述： PNP配電阻型晶體管；R1=10千歐姆，R2=開路
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： PDTA114T
2004 Aug 02
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 10 k
, R2 = open
PDTA114T series
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Notes
1.
2.
3.
Refer to standard mounting conditions.
Reflow soldering is the only recommended soldering method.
Refer to SOT883 standard mounting conditions; FR4 with 60
μ
m copper strip line.
THERMAL CHARACTERISTICS
Notes
1.
2.
3.
Refer to standard mounting conditions.
Reflow soldering is the only recommended soldering method.
Refer to SOT883 standard mounting conditions; FR4 with 60
μ
m copper strip line.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
50
5
100
100
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
O
I
CM
P
tot
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT883
SOT490
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
V
V
V
mA
mA
T
amb
≤
25
°
C
note 1
note 1
note 1
note 1
note 1
notes 2 and 3
notes 1 and 2
65
65
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°
C
°
C
°
C
T
stg
T
j
T
amb
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT883
SOT490
in free air
note 1
note 1
note 1
note 1
note 1
notes 2 and 3
notes 1 and 2
250
500
500
625
833
500
500
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTA114TEF PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open
PDTA114YEF PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA114YK PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA114YS PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA114Y PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
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參數(shù)描述
PDTA114TE 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kW, R2 = open
PDTA114TE T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA114TE,115 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA114TEF 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open
PDTA114TEF,115 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-490 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
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